ИСТИНА

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания переизлучающих текстурированных покрытий (текстурированных тонких пленок) на основе аморфного гидрогенизированного кремния, подвергнутого обработке фемтосекундными лазерными импульсами с целью формирования локально расположенных кремниевых нанокристаллов для использования в тонкопленочных солнечных элементах в качестве слоя, эффективно поглощающего ультрафиолетовую часть солнечного спектра с последующим ее преобразованием в видимый свет. Техническим результатом является формирование светоизлучающих кремниевых нанокристаллов в процессе облучения пленок аморфного кремния фемтосекундными лазерными импульсами. Способ получения переизлучающих текстурированных тонких пленок на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния включает получение тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния, которые обрабатывают в атмосфере воздуха фемтосекундными лазерными импульсами с центральной длиной волны излучения 500-1100 нм, частотой повторения импульсов 50-500 кГц, длительностью импульсов 100-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 260-500 мДж/см2. 5 ил.