ИСТИНА

Изобретение относится к области лазерных технологий, более конкретно, к безмасочным способам лазерно-индуцированного формирования рельефа на поверхности полупроводниковых материалов, и может быть использовано при производстве одночастотных полупроводниковых лазеров с распределенной обратной связью (РОС-лазеров). Поверхность полупроводникового материала, находящегося в контакте с химическим травителем, освещают двумя когерентными лазерными лучами, создающими интерференционную картину с периодом d1. Затем освещают двумя когерентными лазерными лучами, создающими интерференционную картину с периодом d2, не равным d1. Освещение поверхности полупроводникового материала осуществляют в виде многократной последовательности циклов, число которых больше либо равно десяти, каждый из которых включает освещение поверхности полупроводника сначала двумя когерентными лазерными лучами, создающими интерференционную картину с периодом d1, а затем двумя когерентными лазерными лучами, создающими интерференционную картину с периодом d2, не равным d1. Время освещения в каждом цикле каждой парой лучей выбирают исходя из условия, чтобы за это время амплитуда рельефа увеличивалась не более чем на 0,5 нм. Обеспечено повышение точности. 2 ил.