Создание источников и приемников терагерцового излучения на основе низкоразмерных пролетных диодов для контроля объектовНИР

Sources and detectors of THz radiation based on silicon low-dimensional transit-time diodes for security inspection

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 мая 2016 г.-1 мая 2017 г. Создание источников и приемников терагерцового излучения на основе низкоразмерных пролетных диодов для контроля объектов
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".