Исследование объемных и поверхностных процессов в неравновесной низкотемпературной плазмеНИР

Источник финансирования НИР

госбюджет, раздел 0110 (для тем по госзаданию)

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 января 2012 г.-31 декабря 2014 г. Исследование объемных и поверхностных процессов в неравновесной низкотемпературной плазме
Результаты этапа:
2 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. Исследование объемных и поверхностных процессов в неравновесной низкотемпературной плазме
Результаты этапа: Проведены работы по экспериментальному и теоретическому исследованию влияния эффектов ВУФ излучения и потоков атомарного фтора из плазмы в условиях, характерных для анизотропного травления, на механизм деградации современных пористых диэлектрических материалов электроники с ультра низкой константой диэлектрической проницаемости (ULK). Впервые показано, что процесс фотопоглощения излучения в ULK пленках определяется механизмом возбуждения электронных уровней поглощающего комплекса OxSiCyH3y и его распадом с отрывом метильных СН3 групп, что и приводит к деградации материала. Впервые для диапазона длин волн излучения от экстремального УФ (ЭУФ) до ВУФ диапазона получены значения фундаментальных параметров – сечений фотопоглощения и квантового выхода фотодисоциации Si-CH3 для ULK материалов, использующихся в электронике. Проведены кватовомеханические расчеты потенциала взаимодействия между атомами кислорода и кремния в диапазоне межатомных расстояний 0.75-11.5 a.u на основе (ab initio) метода многоконфигурационного взаимодействия (MRCI). Необходимость таких расчетов возникает из-за того, что размеры области, требуемой для изучения процесса травления тренчей и резиста, постоянно уменьшаются из-за увеличения плотности межслойных соединений микросхемы, в результате возрастают требования к точности результатов моделирования распыления и химического травления диэлектрика в плазме. Представлена аналитическая аппроксимация рассчитанного потенциала. Упругое рассеяние между атомами кремния и кислорода было исследовано в диапазоне относительных кинетических энергий 10 - 500 eV. Полученные сечения рассеяния (дифференциальное, интегральное и транспортное) и атомный потенциал будут использованы в при моделировании процессов взаимодействия плазмы с новейшими кремний-органическими диэлектрическими материалами электроники.

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".