ИСТИНА

Объектом исследования являются легированные узкощелевые полупроводниковые материалы класса А4В6. Целью работы является разработка физических принципов функционирования высокочувствительных фотоприемных систем терагерцового спектрального диапазона на основе фундаментальных исследований физических свойств легированных полупроводников группы IV-VI.

В работы получено большое количество важных фундаментальных результатов. Совокупность полученных данных убедительно показывает, что поведение ряда примесей в сплавах на основе теллурида свинца описывается в рамках представлений о переменной валентности. Тот факт, что достаточно большое количество существенно различающихся по своим характеристикам примесных добавок проявляют переменную валентность, указывает на важные особенности кристаллической матрицы. Эти особенности создают благоприятные возможности для формирования глубоких примесных состояний с переменной валентностью. Тем не менее, свойства указанных примесных состояний не могут быть описаны в рамках упрощенных предположений, учитывающих только особенности кристаллической матрицы без учета индивидуальности легирующей добавки. Особый интерес представляют прикладные аспекты проблемы. Приблизительно начиная с конца 70-х годов сложилось мнение, что полупроводники группы IV–VI неконкурентоспособны как материалы для ИК-оптоэлектроники в связи с низким структурным совершенством. Однако, как показали дальнейшие исследования, эта точка зрения не учитывала возможностей, предоставляемых использованием уникальных свойств примесных состояний в рассматриваемых материалах. Последние результаты говорят о том, что легированные полупроводники группы IV–VI в качестве базового элемента для создания высокочувствительных приемников излучения терагерцового диапазона могут успешно конкурировать с лучшими мировыми аналогами, поэтому продолжение исследований в данном направлении представляется чрезвычайно перспективным.