Поддержка Международного учебно-научного лазерного центра МГУ имени М.В. Ломоносова «Слоистые тонкопленочные транзисторы для применения в гибкой электронике»НИР

Источник финансирования НИР

Нокиа Корпорейшен

Этапы НИР

# Сроки Название
1 31 марта 2014 г.-30 сентября 2014 г. Поддержка Международного учебно-научного лазерного центра МГУ имени М.В. Ломоносова «Слоистые тонкопленочные транзисторы для применения в гибкой электронике»
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".