ИСТИНА

Создание импортозамещающих технологий получения высокочистых теллура, оксида теллура (IV), оксида бора (III), включая контролируемую концентрацию собственных и примесных точечных дефектов для выращивания высококачественных монокристаллов TeO2 и -BaB2O4 с рекордными функциональными характеристиками. Создание научно-технического задела на организацию производства и разработку ТУ на теллур, оксид теллура (IV), оксид бора (III) «особой чистоты» для материалов, используемых при разработке СВЧ технологий и технологий фотоники.

Creation of import-substituting technologies for production of high-purity tellurium, tellurium (IV) oxide, boron (III) oxide, including a controlled concentration of intrinsic and impurity point defects for growing high-quality TeO2 and beta-BaB2O4 single crystals with record-breaking functional characteristics. Creation of a scientific and technical reserve for the organization of production and development of specifications for tellurium, tellurium (IV) oxide, boron (III) oxide of "special purity" for materials used in the development of microwave technologies and photonics technologies

Разработка лабораторных технологий получения: элементарного Те с содержанием 67 примесей, включая примесь Se, не более 10-4 мас.% кристаллического TeO2 с содержанием 67 примесей не более 10-3 мас.% B2O3 с общим содержанием 67 примесей не более 10-4 мас.% и контролируемым содержанием остаточной воды не более 5 10-2 мас.% Все компоненты технологий должны быть разработаны на базе отечественных реактивов и материалов с использованием минимального количества реактивов без использования жидких токсичных окислителей. - Выращивание с использованием полученных веществ монокристаллов ТеО2 и -BaB2O4 с улучшенными структурными характеристиками и пониженной концентрацией точечных дефектов.

На данном этапе разработаны лабораторные технологии высокочистых Te, B2O3 и соответствующие методики контроля примесных элементов в данных препаратах на уровне 10-6-10-8 мас.%.