Прецизионный контроль электронной структуры и транспортных свойств углеродных нанотрубок с помощью контролируемой интеркаляцииНИР

-

Источник финансирования НИР

грант РНФ

Этапы НИР

# Сроки Название
1 9 июля 2014 г.-25 декабря 2014 г. Прецизионный контроль электронной структуры и транспортных свойств углеродных нанотрубок с помощью контролируемой интеркаляции
Результаты этапа: В ходе работ по первому этапу проекта были отработаны методики заполнения одностенных углеродных нанотрубок различными неорганическими соединениями, такими как Mhalx (M = Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Cu, Sn, Pb, Hal = F, Cl, Br, I), MChal (M = Pb, Sn, Chal = S, Te), Ag и Cu. Было установлено, что для легкоплавких соединений наиболее оптимальным является метод заполнения внутренних каналов ОСНТ из расплава внедряемого вещества под действием капиллярных сил. Также были отработаны методы заполнения за счет конденсации из газовой фазы, и заполнения из насыщенного раствора соли с ее последующим разложением при нагреве. Для внедрения тугоплавских соединений была разработана двухстадийная методика интеркаляции с внедрением соответствующих легкоплавких иодидов и последующей обработкой в расплаве халькогенов, что сопровождается протеканием химической реакции во внутреннем канале ОСНТ. Разработанные методики позволяют осуществлять синтез нанокомпозитов с высокой степенью заполнения внутренних каналов ОСНТ и кристалличностью внедряемых соединений. Исследование методом просвечивающей электронной микроскопии позволило в ряде случаев установить структуру инкапсулированных соединений, а также определить влияние пространственного ограничения на структуру нанокристалла. Для исследования влияния интеркаляции на электронную структуру ОСНТ были разработаны методики анализа методами спектроскопии комбинационного рассеяния, рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии, спектроскопии рентгеновского поглощения, которые показали что изменение электронной структуры нанотрубок при внедрении различных соединений определяется различием работ выхода электрона внедряемого соединения и ОСНТ, а также в ряде случаев ведет к формированию локализованного электронного состояния за счет частичной гибридизации орбиталей атомов внедренного соединения и стенки ОСНТ.
2 9 июля 2015 г.-25 декабря 2015 г. Прецизионный контроль электронной структуры и транспортных свойств углеродных нанотрубок с помощью контролируемой интеркаляции
Результаты этапа: В ходе работ на втором этапе проекта завершено исследование композитов на основе ОСНТ, заполненных галогенидами 3d-металлов, методами рентгеновской спектроскопии поглощения, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии валентной зоны и вторичных электронов. Было показано, что степень заполнения зависит от отношения размера кристалла и внутреннего диаметра ОСНТ и уменьшается при увеличении данного несоответствия. Степень заполнения существенно влияет на электронную структуру нанокомпозитов, определяя энергетические расстояния между сингулярностями ван Хова. Исследована локальная электронная структура композитов методом высокоразрешающей спектроскопии энергетических потерь электронов в режиме сканирующей просвечивающей микроскопии. Использование данного метода позволило определить локальный характер химического взаимодействия между трубкой и внедренным кристаллом. Изучено поведение внедренного во внутренний канал ОСНТ кристалла под действием электронного пучка. Изучение динамики под воздействием пучка показало колебания и вращения квазиодномерных нанокристаллов в ОСНТ, а также к частичной деинтеркаляции кристалла. Проведеннное in-situ исследование электронной структуры одностенных углеродных нанотрубок заполненных йодидами меди и железа методами рентгеновской рентгеновской абсорбционной спектроскопии на синхротронном источнике при нагревании в высоком вакууме показало возможность деинтеркаляции внедренных веществ при темепратурах ~500°C, сопровождающейся полным восстановлением электронной структуры исходных ОСНТ. Таким образом, подход, основанный на последовательной интеркаляции кристаллов, оказывающих существенное влияние на электронную структуру композитов и локальной контролируемой деинтеркаляции кристалла электронным пучком может успешно использоваться для создания p-n перехода на основе единичной нанотрубки. В ходе работ также показана возможность наблюдения плазмонных полос и экситонного возбуждения в образцах ОСНТ методом спектроскопии энергетических потерь электронов вблизи нулевого пучка (~ 2 эВ), а также выделения сигнала с энергетической шириной щели <100 мэВ и построения фильтрованного изображения на аналитическом электронном микроскопе с корректором хроматических аберраций Zeiss Libra 200, что позволит визуализировать энергетическую структуру композита посредством методов просвечивающей электронной микроскопии. Проведено исследование зависимости химического связывания допанта с углеродным листом от размерности нанокомпозитов и показано, что в случае двумерных нанокомпозитов такое взаимодействие не наблюдается. Проведенное квантово-химическое моделирование одномерных и двумерных нанокомпозитов на основе ОСНТ и графена, соответственно, допированных CuBr показало, что химическое взаимодействие возникает, скорее всего, в следствие нестехиометрии внедренного во внутренний канал ОСНТ нанокристалла.
3 1 июля 2016 г.-26 декабря 2016 г. Прецизионный контроль электронной структуры и транспортных свойств углеродных нанотрубок с помощью контролируемой интеркаляции
Результаты этапа: В работе исследованы фундаментальные взаимодействия между одностенными углеродными нанотрубками (ОСНТ) и внедренными во внутренние каналы нанокристаллами и определено их влияние на атомную и электронную структуру нанокомпозитов на основе заполненных ОСНТ. Для этого, в работе проведен анализ широкого спектра нанокомпозитов, содержащих 45 различных соединений во внутренних каналах и имеющих состав AXn@ОСНТ (где A = 3d, 4d или 4f – металл, X = галоген или халькоген). Были установлены основные закономерности связывающие структуру одномерных нанокристаллов формируемых во внутренних каналах ОСНТ с геометрическими параметрами наноконтейнера. Было показано, что в ОСНТ большого диаметра (1,4 – 2,0 нм) реализуется объемный тип структуры нанокристалла с параметрами решетки, близкими к таковым для объемного соединения, и выделенной осью роста, характерной для всех диаметров ОСНТ. В ОСНТ меньшего диаметра оказывается возможным изменение типов кристалла и оси роста, а также формирование сверхрешеток с периодическим добавлением периферийных атомов или формированием упорядоченной системы вакансий. Показано, что основыными структурноопределяющими параметрами при этом являются атомная плотность упаковки нанокристалла и сохранение электронейтральности. В ОСНТ малого диаметра (~1,2 нм) показана возможность формирования структур с модуляцией зарядовой плотности на стенках ОСНТ. Электронная структура и свойства нанокомпозитов изучены методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), спектроскопии оптического поглощения, спектроскопии комбинационного рассеяния (КР), просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (ПЭМВР), спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ), рентгеноспектрального микроанализа (РСМА). Статистический анализ большого массива экспериментальных данных позволил выявить основные закономерности, связывающие электронное строение и структуру нанокомпозитов с параметрами исходных трубок и внедряемыми материалами. Так было выявлено, что корреляция степени заполнения ОСНТ с диаметром внедряемого кристалла достигает практически 100%. При этом электронная структура конечных нанокомпозитов определяется не только соотношением диаметров внедряемого кристалла и внутреннего канала, но и эффективным зарядом на стенках ОСНТ после заполнения. Данный параметр зависит от изменения работы выхода и отклонения стехиометрии внедряемого кристалла от объемного значения. При этом заполнение внутренних каналов ОСНТ ведет не только к переносу заряда между кристаллом и трубкой, но и к формированию локализованных электронных состояний, которые экспериментально наблюдаются в плотности электронных состояний ОСНТ и влияют на смещение уровня Ферми в результате заполнения. При этом величина электростатического потенциала на стенках ОСНТ может достигать 0,4 эВ, что соответствует колебаниям плотности заряда 0,14 е / атом. Такие значения являются достаточными для того, чтобы быть использованы для непосредственной модификации ОСНТ при разработке компонентов наноэлектроники на их основе. Следует отметить, что образующийся заряд на стенках ОСНТ приводит к изменению в перекрывании C2pz-орбиталей и изменению энергетического зазора между сингулярностями ван Хова. Представленные в работе экспериментальные данные наряду с разработанной методикой исследования электронного строения и структуры одномерных нанокомпозитов позволяют предложить метод анализа и управления структурой заполненных одностенных нанотрубок в зависимости от химической природы внедряемого вещества. На заключительной стадии, разработанные в рамках проекта композиты AXn@ОСНТ были протестированы для создания компонентов электроники нового поколения. Была показана возможность изменения локальной работа выхода электрона в пределах единичной ОСНТ с 4,8 до 5,3 эВ. На основе ОСНТ, заполненных CuI, был изготовлен прототип полевого транзистора с длиной канала <1 мкм и диаметром менее 10 нм. Полученное устройство продемонстрировало запирающую вольтамперную характеристику при приложении как положительного, так и отрицательного управляющего напряжения на затворе. Разница тока при приложении управляющего напряжения, обусловленная переносом электронной плотности между кристаллом и нанотрубкой в поле затвора, с соответствующим уменьшением электронной плотности на уровне Ферми нанокомпозита достигала 2 нА при 1.8 В. Разработанное устройство иллюстрирует возможность применения заполненных одностенных углеродных нанотрубок, содержащих кристаллы модифицирующих веществ во внутреннем канале, для разработки и создания компонентной базы наноэлектроники.

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".