|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Defect and imourity effects on charge carrier scattering near the phase transition in semiconductor ferroelectric Pb1-xGexTeстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
- Авторы: Abdullin K.A., Lebedev A.I.
- Журнал: Fizika Tverdogo Tela
- Том: 25
- Номер: 12
- Год издания: 1983
- Первая страница: 3571
- Последняя страница: 3576
- Аннотация: Исследованы электрические свойства твердых растворов Pb$_{1-x}$Ge$_x$Te ($x$ = 0.5-10 ат.%) в интервале температур 4.2-300 K. Изучено аномальное рассеяние носителей, обусловленное сегнетоэлектрическим фазовым переходом. Величина аномального рассеяния сильно зависит от концентрации свободных носителей и режима термообработки. Сопоставление полученных результатов с расчетами рассеяния на TO-фононах и на поляризованных дефектах показывает, что основной вклад в аномальное рассеяние вносят поляризованные дефекты, роль которых могут играть кластеры атомов Ge. Легирование твердых растворов Pb$_{1-x}$Ge$_x$Te индием заметно увеличивает величину аномального рассеяния.
- Добавил в систему: Лебедев Александр Иванович