Effect of Al and Ce Ion Concentrations on the Optical Absorption and Luminescence in Gd3(Al,Ga)5O12:Ce Epitaxial Films

Vasil’ev, D.A.; Spassky, D.A.; Voronov, V.V.; Sokolov, V.O.; Khakhalin, A.V.; Vasil’eva, N.V.; Plotnichenko, V.G.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 октября 2015 г.

Авторы: Vasil’ev D.A., Spassky D.A., Voronov V.V., Sokolov V.O., Khakhalin A.V., Vasil’eva N.V., Plotnichenko V.G.
Журнал: Inorganic Materials
Том: 51
Номер: 10
Год издания: 2015
Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства: Russian Federation
Первая страница: 1008
Последняя страница: 1016
DOI: 10.1134/S0020168515090198
Аннотация: We have studied the effect of Al and Ce ions on the optical absorption and luminescence of single - crystal (Pb,Gd)3–yCeyAlxGa5–xO12 (x = 2.02, 2.09, 2.13, 2.17, 2.22; y = 0.02, 0.06, 0.07) films grown on (111)- oriented single-crystal Gd3Ga5O12 substrates by liquid-phase epitaxy from supercooled high-temperature solutions using solvents of the PbO–B2O3 system and growth charges containing 2.0, 2.1, or 2.2 mol % aluminum oxide and 0.03 or 0.2 mol % cerium oxide. The shift of the absorption bands of the Ce3+ 5d1 and 5d2 levels has been determined as a function of Al concentration in the films. The intensity of the Ce3+ luminescence bands of the films has been shown to increase with increasing Al and Ce concentrations.
Добавил в систему: Спасский Дмитрий Андреевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Effect of Al and Ce Ion Concentrations on the Optical Absorption and Luminescence in Gd3(Al,Ga)5O12:Ce Epitaxial Filmsстатья

Прикрепленные файлы