|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructuresстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 ноября 2015 г.
- Авторы: Bokov P.Yu, Brazzini T., Romero M.F., Calle F., Feneberg M., Goldhahn R.
- Журнал: Semiconductor Science and Technology
- Том: 30
- Номер: 8
- Год издания: 2015
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 085014
- DOI: 10.1088/0268-1242/30/8/085014
- Аннотация: Room temperature electroreflectance (ER) spectroscopy has been used to study the fundamental properties of AlxInyGa${}_{1-x-y}$N/AlN/GaN heterostructures under different applied bias. The (0001)-oriented heterostructures were grown by metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire. The band gap energy of the AlxInyGa${}_{1-x-y}{\rm{N}}$ layers has been determined from analysis of the ER spectra using Aspnes' model. The obtained values are in good agreement with a nonlinear band gap interpolation equation proposed earlier. Bias-dependent ER allows one to determine the sheet carrier density of the two-dimensional electron gas and the barrier field strength.
- Добавил в систему: Боков Павел Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | sst_30_8_085014.pdf | 475,0 КБ | 16 июля 2015 [pbokov] |