|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Enhancement of Photoluminescence and Raman Scattering in One-Dimensional Photonic Crystals Based on Porous Siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Gonchar K.A., Musabek G.K., Taurbayev T.I., Timoshenko V.Yu
- Журнал: Semiconductors
- Том: 45
- Номер: 5
- Год издания: 2011
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 614
- Последняя страница: 617
- DOI: 10.1134/S1063782611050113
- Аннотация: In porous-silicon-based multilayered structures that exhibit the properties of one-dimensional photonic crystals, an increase in the photoluminescence and Raman scattering intensities is observed upon optical excitation at the wavelength 1.064 mu m. When the excitation wavelength falls within the edge of the photonic band gap of the structures, a multiple increase (by a factor larger than 400) in the efficiency of Raman scattering is detected. The effect is attributed to partial localization of excitation light and, correspondingly, to the much longer time of interaction of light with the material in the structures. DOI: 10.1134/S1063782611050113
- Добавил в систему: Тимошенко Виктор Юрьевич