|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Visible luminescence from hydrogenated amorphous silicon modified by femtosecond laser radiationстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Emelyanov Andrey V., Kazanskii Andrey G., Khenkin Mark V., Forsh Pavel A., Kashkarov Pavel K., Gecevicius Mindaugas, Beresna Martynas, Kazansky Peter G.
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 101
- Номер: 8
- Год издания: 2012
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 081902
- DOI: 10.1063/1.4747207
- Аннотация: Visible luminescence is observed from the composite of SiO2 with embedded silicon nanocrystallites produced by femtosecond laser irradiation of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) film in air. The photoluminescence originates from the defect states at the interface between silicon crystallites and SiO2 matrix. The method could be used for fabrication of luminescent layers to increase energy conversion of a-Si:H solar cells.
- Добавил в систему: Емельянов Андрей Вячеславович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | ApplPhysLett_101_081902.pdf | 746,3 КБ | 21 августа 2012 [emelyanov] |