|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Phase Transition and Electrical Properties of Gallium- and Indium-Doped Bi10Ti3W3O30статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kharitonova E.P., Belov D.A., Mosunov A.V., Voronkova V.I.
- Журнал: Inorganic Materials
- Том: 47
- Номер: 5
- Год издания: 2011
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 513
- Последняя страница: 520
- DOI: 10.1134/S0020168511050116
- Аннотация: Polycrystalline samples of gallium- and indium-doped Bi10Ti3W3O30 (mixed-layer Aurivillius phase with the Ti4+ and W6+ distributed at random over the perovskite-like slabs) have been prepared by solid-state reactions, and their polymorphism and electrical properties have been studied. Doping with both In3+ and Ga3+ yields limited solid solutions and shifts the ferroelectric phase transition to lower temperatures. The heterovalent substitutions of In3+ and Ga3+ for Ti4+ and W6+ increase the oxygen vacancy concentration and, accordingly, the conductivity of the material relative to the undoped compound.
- Добавил в систему: Харитонова Елена Петровна