|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Влияние одноосного сжатия на концентрацию и подвижность электронов в гетероструктуре n-GaAs/AlGaAs:Siтезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Сборник: Мокеровские чтения. 9-ая Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. 23 мая 2018 года, Москва
- Тезисы
- Год издания: 2018
- Место издания: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва Москва
- Первая страница: 26
- Последняя страница: 27
- Аннотация: Влияния одноосного сжатия до давления Р = 3,5 кбар вдоль направления [110] на сопротивление, эффект Холла и осцилляции магнетосопротивления двумерных электронов в высококачественных гетероструктурах n-GaAs/Al{0.29}Ga{0.71}As:Si было исследовано в темноте и в режиме задержанной фотопроводимости при температуре Т = 1,7 К.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович