Аннотация:Уникальные свойства графена сильно повысили интерес в двумерных (2D) полупроводящих материалах. За последние несколько лет дихалькогениды переходных металлов (ДПМ) представляют большой интерес, так как они обладают прямой запрещенной зоной в видимом спектре и предоставляют возможность создания 2D эффективных электронных и оптоэлектронных устройств [1]. Тонкоплёночные полевые транзисторы (ТПТ) ключевой элемент любого электронного устройства, а подвижность носителей заряда важнейшая характеристика ТПТ. Наивысшие значения подвижности для ТПТ на основе единичной чешуйки ДПМ достигает 60 cм2/В*с [2]. Однако все предыдущие исследования проводились на одиночных чешуйках ДПМ, т.е. нанометровых кристаллах образованных из нескольких монослоёв ДПМ, и этот подход едва ли применим к возможной технологии массового производства электронных устройств.
В настоящей работе приготовлены тонкие плёнки ДПМ из наночешуек MoS2 и WS2 с помощью жидкофазного метода и изучены их электрические свойства в составе ТПТ. Рисунок 1а показывает АСМ изображение WS2 плёнки, которая представляется достаточно однородной, хотя и не очень гладкой. КР анализ показывает, что плёнки ДПМ находятся в полупроводниковой фазе и не содержат Mo/W оксидов. Разработаны образцы ТПТ на SiO2/Si подложке в геометрии нижний затвор/ нижние контакты. Также были проведены опыты по восстановлению вакансий серы в полученных плёнках. Рисунок 1б показывает достаточно слабый полевой эффект вкупе с током в закрытом режиме в полученных плёнках ДПМ.
Подвижность носителей заряда в плёнках ДПМ была значительно ниже чем у измеренных устройств на одиночных наночешуйках. Исследованы возможные факторы, ограничивающие характеристики ТПТ на основе плёнок ДПМ, полученных из жидкой фазы: контакты между наночешуйками, загрязнение углеродом, вакансии серы и т.д. Тем не менее, Получение плёнок ДПМ жидкофазным методом открывает многообещающий путь к их практическим приложениям.