|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Relationship between electron-phonon interaction and low-frequency Raman anisotropy in high-mobility organic semiconductorsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Авторы: Andrey Yurievich Sosorev, Dmitry Maslennikov, Chernyshov Ivan Yu, Dmitry Dominsky, Vladimir Bruevich, Mikhail Vener, Dmitry Paraschuk
- Журнал: Physical Chemistry Chemical Physics
- Год издания: 2018
- Издательство: Royal Society of Chemistry
- Местоположение издательства: United Kingdom
- DOI: 10.1039/C8CP03232G
- Аннотация: Недавние теоретические исследования показывают, что перенос заряда в органических полупроводниках ограничен низкочастотными колебаниями вследствие сильного нелокального электрон-фононного взаимодействия. В настоящей работе мы исследовали два высокоэффективных органических полупроводника с аналогичными молекулярными структурами, но значительно отличающейся кристаллической упаковкой, TCNQ и F2-TCNQ, и выявили связь между экспериментальными низкочастотными спектрами комбинационного рассеяния и рассчитанными вкладами различных колебательных мод в электрон-фононное взаимодействие. Мы предполагаем, что комбинация комбинационной спектроскопии с квантово-химическими расчётами является мощным инструментом для изучения электрон-фононного взаимодействия и целенаправленного поиска органических полупроводников с высокой подвижностью зарядов.
- Добавил в систему: Сосорев Андрей Юрьевич