|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Проблема флуктуаций фонового заряда в металлических одноэлектронных транзисторах и ее возможное решениестатья
- Авторы: Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Зорин А.Б., Васенко С.А., Нимайер Ю.
- Журнал: Нелинейный мир
- Том: 3
- Номер: 1-2
- Год издания: 2005
- Первая страница: 27
- Последняя страница: 39
- Аннотация: Экспериментально показано, что основной вклад в низкочастотный шум (типа 1/f) металлических одноэлектронных транзисторов связан с флуктациями зарядов, локализованных в диэлектрической подложке (SiO2, Al2O3, и др.). Применение специального стэкового дизайна, как правило, приводит к заметному уменьшению уровня этого шума. Описана технология изготовления и рекордные шумовые характеристики алюминиевых транзисторов, разработанных в лаборатории криоэлектроники МГУ.
- Добавил в систему: Зорин Александр Борисович