Generation of THz radiation in the photoconductive antennas based on epitaxial InGaAs films on GaAs substrates of various crystallographic orientations

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 октября 2018 г.

Авторы: Kuznetsov K.A., Galiev G.B., Kitaeva G.Kh, Klimov E.A., Klochkov A.N., Leontyev A.A., Pushkarev S.S., Maltsev P.P.
Сборник: 2018 International Conference Laser Optics (ICLO)
Год издания: 2018
Место издания: IEEE
Первая страница: 164
Последняя страница: 164
DOI: 10.1109/LO.2018.8435612
Аннотация: We study the THz wave generation by the timedomain spectroscopy method in the spiral antennas fabricated on the low-temperature grown InGaAs layers on GaAs substrates with crystallographic orientations (100) and (111). It was found that the THz wave generation is 3-4 times more effective in the case of (111)A GaAs substrates as compared to the (100) substrates. Power-voltage characteristic of the InGaAs antenna up to and beyond threshold breakdown voltage is reported.
Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА