|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Спектральное распределение медленных фотоиндуцированных состоянийв пленках a-Si:Hтезисы доклада
- Авторы: Звягин И.П., Казанский А.Г., Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Труды межд. конференции "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах”
- Тезисы
- Год издания: 1999
- Место издания: г. Ульяновск
- Первая страница: 57
- Аннотация: Исследования релаксации темновой проводимости в легированных пленках a-Si:H после выключения освещения при повышенных температурах показали, что в дополнение к обычной релаксации, определяемой отжигом метастабильных фотоиндуцированных оборванных связей, наблюдается медленный релаксационный процесс уменьшения проводимости. Этот процесс описывается растянутой экспонентой и определяется отжигом медленных метастабильных дефектов (ММД). Образование и отжиг ММД имеют аномальные характеристики. Исследована зависимость распределения энергий отжига ММД от времени, интенсивности и температуры освещения. Для описания образования и релаксации ММД использовалась трехуровневая конфигурационная диаграмма с коррелированными энергиями активации для этих процессов. Проведен анализ типов конфигурационных диаграмм.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна