|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Исследование влияния режимов радиационной обработки на кремниевые высокочастотные pin-диоды и диоды с барьером Шотткитезисы доклада
- Авторы: Дренин А.С., Филатов М.Ю., Лагов П.Б.
- Сборник: Сборник трудов Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2010"
- Серия: РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
- Том: 13
- Тезисы
- Год издания: 2010
- Место издания: СПЭЛС Москва
- Первая страница: 227
- Последняя страница: 227
- Аннотация: В работе приведены результаты воздействия облучения быстрыми электронами на параметры кремниевых pin-диодов, полученных по меза-эпитаксиальной технологии и планарных диодов с БШ V-Si.
- Добавил в систему: Лагов Петр Борисович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | SPELS_2010_227.pdf | 969,2 КБ | 6 декабря 2018 [lagov2000] |