|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Optical study of equilibrium charge carriers in mesoporous siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июля 2013 г.
- Авторы: Pavlikov A., Osminkina L., Konstantinova E., Efimova A., Kurepina E., Timoshenko V., Kashkarov P.
- Журнал: Phys.stat.sol с
- Том: 2
- Номер: 9
- Год издания: 2005
- Первая страница: 3495
- Последняя страница: 3499
- DOI: 10.1002/pssc.200461233
- Аннотация: Absorption and reflection of IR radiation (500 … 6000 cm–1) by equilibrium free charge carriers are studied in free standing mesoporous Si (meso-PS) films prepared from heavily boron-doped Si wafers (Np ≈ 1020 cm–3). The experimental results are well described by a model based on the Bruggeman effective medium approximation and classical Drude theory with a correction on additional carrier scattering on the Si nanocrystal surface. The concentration of free holes in Si nanocrystals is found to be ∼1019 cm–3 and ∼1018 cm–3 for the as-prepared and naturally oxidized films, respectively.
- Добавил в систему: Осминкина Любовь Андреевна