|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Properties of planar Nb/alpha-Si/Nb Josephson junctions with various degrees of doping of the alpha-Si layerстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Gudkov A.L., Kupriyanov M.Yu, Samus’ A.N.
- Журнал: Journal of Experimental and Theoretical Physics
- Том: 114
- Номер: 5
- Год издания: 2012
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 818
- Последняя страница: 829
- DOI: 10.1134/S1063776112030144
- Аннотация: The properties of Nb/alpha-Si/Nb planar Josephson junctions with various degrees of doping of the amorphous silicon layer are experimentally studied. Tungsten is used as a doping impurity. The properties of the Josephson junctions are shown to change substantially when the degree of doping of the alpha-Si layer changes: a current transport mechanism and the shape of the current-voltage characteristic of the junctions change. Josephson junctions with SNS-type conduction are formed in the case of a fully degenerate alpha-Si layer. The properties of such junctions are described by a classical resistive model. Josephson junctions with a resonance mechanism of current transport through impurity centers are formed at a lower degree of doping of the alpha-Si layer. The high-frequency properties of such junctions are shown to change. The experimental results demonstrate that these junctions are close to SINIS-type Josephson junctions.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | JETP818.pdf | JETP818.pdf | 560,0 КБ | 3 марта 2016 [mkupr] |