|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
“Pecularities of Hall effect in GaAs/δ<Mn>/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs (х 0.2) heterostructures with high Mn contentстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 июня 2016 г.
- Авторы: Pankov Aronzon B.A.M.A, Rylkov, Davydov A.B., Tugushev V.V., Caprara S., Likhachev I.A., Pashaev E.M., Chuev M.A., Lähderanta E., Vedeneev A.S., Bugaev A.S.
- Журнал: European Physical Journal B
- Том: 85
- Год издания: 2012
- Издательство: Springer Verlag
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 206
- Последняя страница: 206
- Добавил в систему: Тугушев Виктор Витальевич