Optical second-harmonic interferometric spectroscopy of Si(111)-SiO2 interface in the vicinity of E2 critical points

Dolgova, T.V.; Fedyanin, A.A.; Aktsipetrov, O.A.; Marowsky, G.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 26 августа 2016 г.

Авторы: Dolgova T.V., Fedyanin A.A., Aktsipetrov O.A., Marowsky G.
Журнал: Physical Review B
Том: 66
Год издания: 2002
Издательство: American Physical Society
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 033305
DOI: 10.1103/PhysRevB.66.033305
Аннотация: The direct electron transitions at the Si(111)-SiO2 interface are studied by combined second-harmonic (SH) intensity and phase spectroscopy with the SH photon energy range from 3.5 eV to 5 eV. A strong resonant behavior of the quadratic optical response is observed in the vicinity of the E2(X,S) critical points CP’s) of the silicon band structure. Good representation of the experimental SH intensity and phase spectra is provided by a line shape of the quadratic susceptibility calculated both with excitonic and two-dimensional (2D) types of E2(X,S) CP’s. The line-shape dependence of resonance energies, namely, repulsion of nearby E2(X,S) resonances in the case of a 2D CP in comparison with the excitonic ones, is observed.
Добавил в систему: Федянин Андрей Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Optical second-harmonic interferometric spectroscopy of Si(111)-SiO2 interface in the vicinity of E2 critical pointsстатья

Прикрепленные файлы