|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Studies of N-Doped p-ZnO Layers Grown on c-Sapphire by Radical Source Molecular Beam Epitaxyстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Ivanov S.V., El-Shafr A., Al-Suleiman M., Bakin A., Waag A., Lyublinskaya O.G., Shmidt N.M., Listoshin S.B., Kyutt R.N., Ratnikov V.V., Terentyev A.Ya, Ber B.Ya, Komissarova T.A., Ryabova L.I., Khokhlov D.R.
- Журнал: Journal of the Korean Physical Society
- Том: 53
- Номер: 5
- Год издания: 2008
- Издательство: Han'guk Mulli Hakhoe
- Местоположение издательства: Korea, Republic of
- Первая страница: 3016
- Последняя страница: 3020
- Аннотация: We report on the fabrication of p-type ZnO:N layers using radical-source molecular beam epitaxy and post-growth annealing of the samples. Plasma-activated oxygen and nitrogen fluxes are supplied via a single plasma cell. The combination of low growth temperature (350 - 400 degrees C), slightly O-rich conditions, and post-growth annealing in the range of 650 - 800 degrees C results in efficient nitrogen p-doping with Hall hole concentration 3 x 10(17) cm(-3). The details of the structural and the electrical characterizations of the films are discussed.
- Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович