Conductance anisotropy of delta-Si doped GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on (111)A GaAs substrates and misoriented in the [2(1)over-bar(1)over-bar] direction

Galiev, G.B.; Mokerov, V.G.; Kul'bachinskii, V.A.; Kytin, V.G.; Lunin, R.A.; Derkach, A.V.; Vasil'evskii, I.S.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Авторы: Galiev G.B., Mokerov V.G., Kul'bachinskii V.A., Kytin V.G., Lunin R.A., Derkach A.V., Vasil'evskii I.S.
Журнал: Doklady Physics
Том: 47
Номер: 6
Год издания: 2002
Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства: Russian Federation
Первая страница: 419
Последняя страница: 421
DOI: 10.1134/1.1493376
Добавил в систему: Лунин Роман Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Conductance anisotropy of delta-Si doped GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on (111)A GaAs substrates and misoriented in the [2(1)over-bar(1)over-bar] directionстатья