|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Vacancy formation on stepped Cu(100) accelerated with STM: Molecular dynamics and kinetic Monte Carlo simulationsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kolesnikov S.V., Klavsyuk A.L., Saletsky A.M.
- Журнал: Physical Review B
- Том: 80
- Номер: 24
- Год издания: 2009
- Издательство: American Physical Society
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 245412
- DOI: 10.1103/PhysRevB.80.245412
- Аннотация: Formation of vacancies on stepped Cu(100) surface during the usage of scanning tunneling microscope (STM) is investigated on the atomic scale by performing molecular dynamics and kinetic Monte Carlo simulations. The atomic processes responsible for vacancy formation on both upper and lower terraces during the scanning are identified. We investigate the possibility of increasing of local intensity of vacancy formation with STM tip at different temperatures. The influence of trajectory and velocity of STM tip is also demonstrated. Finally, we suggest the effective method to accelerate formation of free vacancies on the stepped Cu(100) surface.
- Добавил в систему: Клавсюк Андрей Леонидович