Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effects - тезисы доклада | ИСТИНА – Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Electroreflectance from Multiple InGaN/GaN Quantum Wells: Interference Effectsтезисы доклада

Авторы: Avakyants L., Aslanyan A., Bokov P., Chervyakov A., Polozhentsev K.
Сборник: Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
Тезисы
Год издания: 2014
Место издания: Остин, Техас, США
Добавил в систему: Боков Павел Юрьевич