|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
СВОЙСТВА ПЛАНАРНЫХ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ Nb/α- Si/Nb С РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ ЛЕГИРОВАНИЯ α- Si-ПРОСЛОЙКИстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
- Авторы: Гудков А.Л., Куприянов М.Ю., Самусь А.Н.
- Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
- Том: 141
- Номер: 5
- Год издания: 2012
- Первая страница: 939
- Последняя страница: 952
- Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований свойств планарных джозефсоновских переходов Nb/α- Si/Nb с различной степенью легирования прослойки из аморфного кремния. В качестве легирующей примеси был использован вольфрам. Мы показали, что при изменении степени легирования α- Si-прослойки свойства джозефсоновских переходов полностью меняются. Изменяется механизм транспорта тока и изменяется форма вольт-амперной характеристики таких переходов. В случае полностью вырожденной α- Si-прослойки были получены джозефсоновские переходы с непосредственной проводимостью SNS-типа. Свойства таких переходов описываются классической резистивной моделью. В случае меньшей степени легирования α- Si-прослойки были получены джозефсоновские переходы, в которых наблюдался резонансный механизм транспорта тока через примесные центры. Продемонстрировано изменение высокочастотных свойств таких переходов. Проведенные исследования показали, что эти переходы наиболее близки к джозефсоновским переходам SINIS-типа.
- Добавил в систему: Куприянов Михаил Юрьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | ZhETF_141_939_2012.pdf | ZhETF_141_939_2012.pdf | 1,5 МБ | 13 мая 2016 [mkupr] |