|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Low-temperature scanning tunneling microscopy of subsurface shallow dopants: depth dependence of the corrugation for the GaAs(110) surface APPLIEDстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Depuydt A., Van_Haesendonck C., Savinov S.V., Panov V.I.
- Журнал: Applied Physics A: Materials Science and Processing
- Том: 72
- Год издания: 2001
- Издательство: Springer Verlag
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: S209
- Последняя страница: S212
- Добавил в систему: Савинов Сергей Валентинович