|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2017 г.
- Авторы: Stepikhova M.V., Zhigunov D.M., Shengurov V.G., Timoshenko V.Y., Krasil’nikova L.V., Chalkov V.Y., Svetlov S.P., Shalygina O.A., Kashkarov P.K., Krasil’nik Z.F.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 81
- Номер: 10
- Год издания: 2005
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 494
- Последняя страница: 497
- DOI: 10.1134/1.1996756
- Аннотация: Population inversion of the energy levels of Er3+ ions in Si/Si1−x Gex:Er/Si (x = 0.28) structures has been achieved due to electron excitation transfer from the semiconductor matrix. An analysis of the photoluminescence kinetics at a wavelength of 1.54 μm shows that up to 80% of the Er3+ ions are converted into excited states. This effect, together with the high photoluminescence intensity observed in the structures studied, shows good prospects for obtaining lasers compatible with planar silicon technology.
- Добавил в систему: Жигунов Денис Михайлович