|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Исследование дефектов в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN методами катодо-люминесценции и растровой электронной микроскопиистатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Обыден С.К., Сапарин Г.В., Иванников П.Г., Чукичев М.В., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Leroux M., Dalmasso S., Beaumont B., De_Mierry P.
- Журнал: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники
- Номер: 4
- Год издания: 2000
- Издательство: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 55
- Последняя страница: 59
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович