Photoelectromagnetic Effect Induced by Terahertz Radiation in (Bi1 –xSbx)2Te3 Topological Insulatorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 сентября 2019 г.
Аннотация:На основании анализа фотоэлектромагнитного эффекта в трехмерных топологических изоляторах (Bi1-xSbx)2Te3 (0≤ x≤0.55) сделана оценка подвижности поверхностных носителей заряда. Высокая степень вырождения газа носителей в сочетании с низкой энергией возбуждающего терагерцового кванта обеспечивали неравновесный процесс, связанный исключительно с тепловым разогревом носителей. В этих условиях фотоэдс определяется градиентом подвижности поверхностных и объемных носителей. Фотоэдс и, следовательно, градиент подвижности полностью исчезают при увеличении объемной подвижности до 105 см2·В-1·с-1. В образцах со сравнительно низкой объемной подвижностью при тех же условиях эксперимента фотоэдс отчетливо наблюдается.