|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Electrical properties and luminescence spectra of light-emitting diodes based on InGaN/GaN heterostructures with modulation-doped quantum wellsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 июля 2016 г.
- Авторы: Mamakin S.S., Yunovich A.É., Wattana A.B., Manyakhin F.I.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 37
- Номер: 9
- Год издания: 2003
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 1107
- Последняя страница: 1113
- DOI: 10.1134/1.1610129
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович