|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Full-atomistic nanoscale modeling of the ion beam sputtering deposition of SiO2 thin filmsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 октября 2016 г.
- Авторы: Grigoriev F.V., Sulimov A.V., Katkova E.V., Kochikov I.V., Kondakova O.A., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.
- Журнал: Journal of Non-Crystalline Solids
- Том: 448
- Год издания: 2016
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 5
- DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2016.06.032
- Аннотация: The previously developed high-performance parallel method of the atomistic simulation of the ion beam sputtering deposition process is applied to the SiO2 thin films. Structural properties of deposited films such as density, concentration of point defects, ring statistics, as well as effects arising fromthe interaction of high energy sputtered Si atoms with the growing film are discussed.
- Добавил в систему: Кондакова Ольга Анатольевна