Местоположение издательства:65 SOUTH MAIN STREET, PENNINGTON, USA,NJ, 08534
Первая страница:83
Последняя страница:102
Аннотация:Обзор исследований электрических свойств, спектров электролюминесценции и эффективности светодиодов на основе гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами, проведенных в 1996 - 1999 гг. на кафедре физики полупроводников МГУ. Светодиоды для исследований были предоставлены фирмами Nichia Chemical, Toyoda Gosei (Япония), Hewlett Packard (США), Университетом Ульма (Германия), Центром гетероэпитаксиальных структур (Франция).