|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:HКурова И.А., Ормонт Н.Нтезисы доклада
- Авторы: КуроваИ А., Ормонт Н.Н.
- Сборник: Тезисы докладов. XIV Российская крнференция по физике полупроводников. Новосибирск, 9 – 13 сентября 2019 г
- Том: 2
- Тезисы
- Год издания: 2019
- Место издания: Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск
- Первая страница: 331
- Последняя страница: 331
- DOI: 10.34077/Semicond2019-331
- Аннотация: Исследовались изменения фотоэлектрических свойств нелегированных высокоомных пленок a-Si:H под влиянием освещения разной интенсивности при T>400K. Исследовались нелегированные пленки a-Si:H, выращенные методом плазмохимического осаждения, как после их отжига, так и после их изохронной предварительной засветки белым светом с разной интенсивностью Q. В результате проведенных измерений температурных зависимостей темновой проводимости и фотопроводимости, а также зависимости фотопроводимости от интенсивности освещения пленок было установлено: 1. Величина темновой проводимости исследованных пленок увеличивается с увеличением интенсивности предварительно засветки Q а термическая энергия активации уменьшается. 2. Зависимость фотопроводимости пленок от интенсивности их освещения изменяется с увеличением интенсивности их предварительной засветки Q. А именно, величина параметра гамма, характеризующая эту зависимость, уменьшается от 0.94 до 0.67 с ростом Q . Обнаруженные изменения указывают на увеличение энергии Ферми с увеличением интенсивности предварительной засветки Q. Подобные изменения параметров наблюдались в предварительно засвеченных при повышенных температурах легированных фосфором пленках a-Si:H и объяснялись увеличением энергии Ферми вследствие роста степени легирования при засветке пленок. Это обуславливало образование дополнительного канала рекомбинации – бимолекулярной рекомбинации на электронных состояниях хвоста зоны проводимости. Эту же модель можно применить и для объяснения результатов данной работы. Однако остается открытым вопрос о природе увеличения энергии Ферми в засвеченных нелегированных пленках. Ранее нами было предположено, что это смещение уровня Ферми может быть обусловлено образованием донорных дефектов типа центровой связи водорода,образующих электронный уровень в верхней половине запрещенной зоны a-Si:H. В данной работе указывается также на возможность объяснения обнаруженных аномальных фотоиндуцированных при повышенных температурах изменений фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H наличием неконтролируемой примеси кислорода.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна