Аннотация:В системе Li2O — ZnO — TiO2 разработан материал для технологии
низкотемпературного сообжига керамики, который впоследствии можно применять для
производства электронных компонентов. Температура спекания материала снижена с 1075 до
950 °C путем введения спекающей добавки эвтектического состава в системе Li2O — B2O3
— SiO2. Определено влияние добавки на процесс спекания, микроструктуру и
диэлектрические свойства полученного материала. Разработанная керамика
характеризуется диэлектрической проницаемостью ε 23,1 и фактором диэлектрической
добротности Q f 832 МГц