Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
INVESTIGATION OF THE DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN AMORPHOUS HYDROGENATED SILICON BY THE TRANSIENT PHOTOCONDUCTIVITY METHOD
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Авторы:
BUTORIN O.V.,
KAZANSKII A.G.
Журнал:
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
Том:
22
Номер:
1
Год издания:
1988
Первая страница:
52
Последняя страница:
53
Добавил в систему:
Казанский Андрей Георгиевич