Особенности развития газовой пористости вдоль пробега ионов в ванадиевых сплавах при последовательном облучении ионами гелия и водородастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 июня 2020 г.
Аннотация:Методом просвечивающей электронной микроскопии изучено развитие гелиевой пористости в ванадии и его сплавах с W, Zr, Ta при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ до флюенса 5×1020 м-2 при 650 °С и последующем облучении ионами водорода с энергией 20 кэВ до флюенса 5×1020 м-2 при 20 °С. Исследование микроструктуры и особенностей развития пористости проводилось вдоль пробега ионов. Показано, что в отличие от облучения ионами Не+, при последовательном облучении ионами Не+ и Н+ использованные легирующие элементы увеличивают газовое распухание ванадия, при этом наибольшее распухание вызывает тантал, наименьшее - цирконий. В сплавах с Ta газовые пузырьки обнаружены на глубинах, значительно превышающих расчетный пробег ионов гелия и водорода. Показано, что глубокое проникновение внедренных газовых атомов, в первую очередь, происходит по границам зерен, расположенным перпендикулярно облучаемой поверхности. Установлено, что при облучении ионами Не+ наиболее крупные пузырьки (газонаполненные поры) развиваются на глубине с высокой концентрацией радиационных вакансий, но не максимальной концентрации гелия, а при последовательном облучении ионами Не+ Н+ зона с крупными порами формируется глубже - в области проективного пробега ионов, при этом крупные поры в слое до 100 нм трансформируются в мелкие пузырьки высокой плотности.