|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Влияние интерфейсных эффектов на электронный спектр структур GaAs/AlGaAs, используемых для создания фотоприемных устройств среднего ИК-диапазонастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Кривобок В.С., Пашкеев Д.А., Литвинов Д.А., Григорьева Л.Н., Колосов С.А.
- Журнал: Письма в "Журнал технической физики"
- Том: 46
- Номер: 6
- Год издания: 2020
- Издательство: Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 3
- Последняя страница: 6
- DOI: 10.21883/PJTF.2020.06.49155.18130.
- Аннотация: Продемонстрировано влияние переходных процессов, возникающих в ростовой камере установки молекулярно-пучковой эпитаксии, на структуру интерфейсов и электронный спектр квантовых ям GaAs/AlxGa1−xAs,используемых для изготовления фотоприемных устройств (ФПУ) среднего ИК-диапазона. Показано, чтотакие процессы приводят к низкочастотному сдвигу рабочего перехода ФПУ, появлению в спектрахпоглощения межзонного перехода, запрещенного правилами отбора, уменьшению энергетического сдвигамежду уровнями размерного квантования, сформированными легкими и тяжелыми дырками. Перечисленныеэффекты обеспечивают простой подход для бесконтактной оценки качества интерфейсов в гетероструктурахGaAs/AlxGa1−xAs для ФПУ.
- Добавил в систему: Григорьева Людмила Николаевна