Аннотация:Анодный оксид титана является перспективным материалом для формирования фотонно-кристаллических структур ввиду его высокого показателя преломления, устойчивости в кислых средах и полупроводниковой проводимости. В настоящей работе были получены одномерные фотонные кристаллы путем анодирования титана в режиме треугольно-волновой модуляции напряжения в зависимости от плотности протекшего заряда. Исследована зависимость положения фотонной запрещенной зоны от заряда, затрачиваемого на один цикл анодирования. Коэффициент отражения в области фотонной запрещенной зоны полученных образцов достигает 70%. Учет химического растворения стенок пор в ходе анодного окисления и постепенное сокращение периода структуры вдоль толщины пленки позволили получить фотонные кристаллы на основе оксида титана с рекордным значением коэффициента добротности, равным 9.6.