|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Deep impurity-induced level and photoelectric properties of Pb1-xGexTe<Ga> alloysтезисы доклада
- Авторы: Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Skipetrova L.A., Belousov V.V.
- Сборник: Abstracts 9th Intern. Conf. on Narrow Gap Semiconductors
- Тезисы
- Год издания: 1999
- Место издания: Berlin, Germany
- Первая страница: 52
- Последняя страница: 52
- Добавил в систему: Зверева Елена Алексеевна