Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ФНКЦ РР
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
MOS-structure electrical damage is the most important factor of microelectronic chips’ plasma degradation
статья
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 июля 2020 г.
Авторы:
Riaby V.A.
,
Savinov V.P.
,
Sporykhin A.A.
,
Yakunin V.G.
Журнал:
Russian Microelectronics
Том:
25
Номер:
2
Год издания:
1996
Издательство:
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства:
Russian Federation
Первая страница:
45
Добавил в систему:
Рябый Валентин Анатольевич