|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Photoluminescence and electrical properties of silicon oxide and silicon nitride superlattices containing silicon nanocrystalsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 марта 2017 г.
- Авторы: Shuleiko D.V., Ilin A.S.
- Журнал: Journal of Physics: Conference Series
- Том: 741
- Номер: 1
- Год издания: 2016
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 012082-1
- Последняя страница: 012082-6
- DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012082
- Аннотация: Photoluminescence and electrical properties of superlattices with thin (1 to 5 nm) alternating silicon-rich silicon oxide or silicon-rich silicon nitride, and silicon oxide or silicon nitride layers containing silicon nanocrystals prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition with subsequent annealing were investigated. The entirely silicon oxide based superlattices demonstrated photoluminescence peak shift due to quantum confinement effect. Electrical measurements showed the hysteresis effect in the vicinity of zero voltage due to structural features of the superlattices from SiO0.93/Si3N4 and SiN0.8/Si3N4 layers. The entirely silicon nitride based samples demonstrated resistive switching effect, comprising an abrupt conductivity change at about 5 to 6 V with current-voltage characteristic hysteresis. The samples also demonstrated efficient photoluminescence with maximum at ~1.4 eV, due to exiton recombination in silicon nanocrystals.
- Добавил в систему: Шулейко Дмитрий Валерьевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | JPCS_741_1_012082.pdf | JPCS_741_1_012082.pdf | 1,2 МБ | 4 октября 2016 [Dmitriy1815] |