Аннотация:Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) изучены пленки оксидов олова
и индия (ITO), нанесенные на подложки из силикатного стекла. На основе РФЭС валентных и
остовных электронов проведен качественный и количественный элементный анализ исходных и
протравленных на глубину до ~50 нм ионами Ar+ образцов. Установлено, что наиболее плотный
слой оксидов сформировался на поверхности образца М3, полученного при меньшем по сравнению
с другими образцами давлении и при более высоком напряжении разряда в плазме магнетрона. Для
образца М2 и в меньшей степени для образца М1 обнаружены элементы подложки из силикатного
стекла (Si, Al, Na, K, Ca, Mg, Fe, S, O, C), что связано с рыхлым (некачественным) покрытием подложки смесью оксидов индия и олова. Поверхность исходных образцов содержит в основном ионы
In3+ и Sn2+, связанные как с кислородом оксидов (In2O3, SnO), так и с кислородом примесных гидроксильных и карбонатных групп. Травление поверхности образцов ионами Ar+ приводит к удалению примесей, в результате чего остаются в основном ионы In3+ и Sn2+, связанные кислородом
в In2O3 и SnO.