|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Особенности измерения поверхностного распределения электрического потенциала локальным зондом на основе полевого транзистора с каналом-нанопроводомстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКДата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 сентября 2020 г.
- Авторы: Божьев И.В., Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Циняйкин И.И., Дорофеев А.А., Трифонов А.С.
- Журнал: Журнал технической физики
- Том: 90
- Номер: 5
- Год издания: 2020
- Издательство: Наука
- Местоположение издательства: СПб.
- Первая страница: 868
- Последняя страница: 874
- DOI: 10.21883/JTF.2020.05.49192.342a-19
- Аннотация: Продемонстрирован неразрушающий метод сканирующей зондовой микроскопии для одновременного измерения топографии поверхности и распределения электрического поля (заряда, потенциала). Сканирование поверхности осуществлено с помощью зондового датчика на основе камертона: взаимодействие с поверхностью осуществляется острым краем кремниевого чипа, закрепленного на одной из ножек кварцевого резонатора (камертона). Детектирование электрических потенциалов происходило с помощью полевого транзистора с каналом нанопроводом, сформированного вблизи острого края кремниевого чипа. Из-за невысокой добротности колебательной системы сканирование стандартными алгоритмами движения зонда над поверхностью приводили к быстрому износу и даже разрушению зонда. Был использован оригинальный алгоритм сканирования, основанный на алгоритме поточечного измерения рельефа поверхности и минимизирующий время взаимодействия зонда и исследуемого объекта. При этом минимальное время нахождения зонда в каждой точке поверхности составляло 1.0-1.6 ms и определялось временем отклика полевого транзистора на изменение электрического поля (время измерения одного кадра составило 20-30 min). Пространственное разрешение метода составило 10 nm для топографии и 20 nm для полевого профиля образца при одновременном их измерении. Полевое разрешение изготовленных чипов находилось в диапазоне 2-5 mV и определялось чувствительностью нанопровода полевого транзистора и расстоянием от нанопровода до вершины зонда. Ключевые слова: сканирующая зондовая микроскопия, полевой транзистор с каналом-нанопроводом, локальный зарядовый/полевой сенсор, кремний на изоляторе, зарядовая чувствительность.
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич