|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ФНКЦ РР |
||
Resonant amplification of sound near the spontaneous oscillation threshould of a semiconductors under impurity and interband breakdown conditionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 января 2021 г.
- Авторы: Zakharova A.A., Balkarei Yu I., Bugaev A.S., Gulyaev Y.V.
- Журнал: Soviet Physics Semiconductors-Ussr
- Том: 17
- Номер: 3
- Год издания: 1983
- Первая страница: 256
- Последняя страница: 258
- Аннотация: An analysis is made of the problem of using self-oscillatory or potentially self-oscillatory semiconductor systems for the amplification of sound. Attention is specifically given to the possibility of resonant amplification of sound in the case when a semiconductor is close to the point of instability resulting in generation of homogeneous spontaneous oscillations associated with impurity or interband electric breakdown.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна