Electron-Precise Semiconducting ReGa2Ge: Extending the IrIn3 Structure Type to Group 7 of the Periodic Table

Likhanov, M.S.; Verchenko, V.Y.; Gippius, A.A.; Zhurenko, S.V.; Tkachev, A.V.; Wei, Z.; Dikarev, E.V.; Kuznetsov, A.N.; Shevelkov, A.V.

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 октября 2020 г.

Авторы: Likhanov Maxim S., Verchenko Valeriy Yu, Gippius Andrei A., Zhurenko Sergei V., Tkachev Alexey V., Wei Zheng, Dikarev Evgeny V., Kuznetsov Alexey N., Shevelkov Andrei V.
Журнал: Inorganic Chemistry
Том: 59
Номер: 17
Год издания: 2020
Издательство: American Chemical Society
Местоположение издательства: United States
Первая страница: 12748
Последняя страница: 12757
Номер статьи: acs.inorgchem.0c01805
DOI: 10.1021/acs.inorgchem.0c01805
Аннотация: Intermetallic compounds with semiconducting propertiesare rare, but they give rise to advanced materials for energyconversion and saving applications. Here, we present ReGa2Ge, a newelectron-precise narrow-gap intermetallic semiconductor. The compoundcrystallizes in the IrIn3 structure type (space group P42/mnm, a= 6.5734(3) Å, c = 6.7450(8) Å, and Z = 4), where Re atoms occupythe Ir site, while Ga and Ge jointly populate the In sites. 69,71Ga nuclearquadrupole resonance spectroscopy indicates nonstatistical partiallyordered distribution of Ga and Ge over two available crystallographicsites; however, the Ga:Ge ratio is exactly 2:1 without noticeablehomogeneity range. The stoichiometry of ReGa2Ge ensures its precise valence electron count, which is 17 e− per formula unit. Accordingly, anarrow energy gap opens up at the Fermi energy in the electronic structure. Electrical resistivity, Seebeck coefficient, and thermalconductivity are in agreement with the semiconducting behavior deduced from the electronic structure calculations and point to prospectivethermoelectric properties at high temperatures. Bonding analysis reveals dominant covalency in Re−E (E = Ga, Ge) and Re−Re interactions.
Добавил в систему: Гиппиус Андрей Андреевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ФНКЦ РР
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ФНКЦ РР

Electron-Precise Semiconducting ReGa2Ge: Extending the IrIn3 Structure Type to Group 7 of the Periodic Tableстатья

Прикрепленные файлы